MT41K256M16HA-107:E vs NT5CC256M16ER-EK השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של MT41K256M16HA-107:E מאת Micron Technology ו NT5CC256M16ER-EK מאת Nanya Technology. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Micron Technology
MT41K256M16HA-107:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 933MHz | Micron
MT41K256M16HA-107:E ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | MT41K256M16HA-107:E | NT5CC256M16ER-EK |
|---|---|---|
| מותג | Micron Technology | Nanya Technology |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג זיכרון | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| גודל זיכרון | 4Gbit (256M x 16) | — |
| Clock Frequency | 933 MHz | — |
| Access Time | 20 ns | — |
| מתח אספקה | 1.35V | 1.35 V |
| מארז | 96-FBGA (9x14 mm) | TFBGA-96 |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| טמפרטורת פעולה | 0°C to 95°C (Tc) | 0°C to +95°C |
| ממשק | Parallel | Parallel |
| קצב נתונים | 1866 MT/s | 933 MHz (DDR3L-1866) |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| מספר פינים | 96 | — |
| ארגון | 256M x 16 | 256M x 16 |
| השהיית CAS | 13 (typical) | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Density | — | 4 Gbit |
| Burst Length | — | 8, 4 (with burst chop) |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Dynamic ODT | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |