NT5CC256M16DP-DI vs NT5CC256M16CP-DIA Ikinahambing
Detalyadong pagkakahiwalay na pagkakahambing ng NT5CC256M16DP-DI sa pamamagitan ng Nanya Technology at NT5CC256M16CP-DIA sa pamamagitan ng Nanya Technology. Ikinahambing ang mga pangunahing paglalarawan, mga tama ng elektriko, paakay, kalagayan ng buhay, presyo, at pagkakaroon upang makita ang pinakamahusay na komponente para sa iyong mga kinakailangang pang disenyo.
Pagsanggunian na paghahambing
| Parametro | NT5CC256M16DP-DI | NT5CC256M16CP-DIA |
|---|---|---|
| Brand | Nanya Technology | Nanya Technology |
| Kategorya | Memory ICs | Memory ICs |
| Katayuan ng Lifecycle | Aktibo | Aktibo |
| Uri ng Memory | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | — |
| Organisasyon | 256M x 16 | — |
| Volte ng Pagbibigay | 1.35V | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) |
| Rate ng Data | 1600 Mbps/pin (800MHz) | 1600 Mbps (800 MHz clock) |
| Packhaging | VFBGA-96 | TFBGA-96 (9 x 13 mm, 0.8 mm pitch) |
| Hanay ng Temperature na Operasyon | -40°C to +95°C (industrial) | -40°C to +95°C (industrial), -40°C to +105°C (automotive) |
| Latensya ng CAS | 11, 12, 13 (programmable) | — |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | — |
| Number of Banks | 8 | 8 |
| Interface | Differential clock (CK, CK#) | — |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | — |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Laki ng Memory | — | 4 Gbit (256M x 16) |
| CAS Latency (CL) | — | 11, 12, 13 |
| Write Latency (CWL) | — | 5, 6, 7, 8, 9 |
| Access Time (tAC) | — | 0.225 ns |
| Wala sa Halogen | — | Yes |
| Uri ng Pagpapasok | — | Surface Mount |
| Differential Clock Input | — | Yes (CK, CK#) |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |