NT5CC256M16DP-DI vs NT5CC256M16CP-DIA 比較
詳細並排比較 NT5CC256M16DP-DI 由 Nanya Technology 與 NT5CC256M16CP-DIA 由 Nanya Technology. 比較關鍵規格、電氣參數、封裝、生命週期狀態、價格與供貨情況，以找出最符合您設計需求的元件。
規格比較
| 參數 | NT5CC256M16DP-DI | NT5CC256M16CP-DIA |
|---|---|---|
| 品牌 | Nanya Technology | Nanya Technology |
| 類別 | Memory ICs | Memory ICs |
| 生命週期狀態 | 啟用中 | 啟用中 |
| 記憶體類型 | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | — |
| 組織 | 256M x 16 | — |
| 供應電壓 | 1.35V | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) |
| 資料速率 | 1600 Mbps/pin (800MHz) | 1600 Mbps (800 MHz clock) |
| 封裝 | VFBGA-96 | TFBGA-96 (9 x 13 mm, 0.8 mm pitch) |
| 工作溫度範圍 | -40°C to +95°C (industrial) | -40°C to +95°C (industrial), -40°C to +105°C (automotive) |
| CAS 延遲 | 11, 12, 13 (programmable) | — |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | — |
| Number of Banks | 8 | 8 |
| 介面 | Differential clock (CK, CK#) | — |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | — |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| 記憶體容量 | — | 4 Gbit (256M x 16) |
| CAS Latency (CL) | — | 11, 12, 13 |
| Write Latency (CWL) | — | 5, 6, 7, 8, 9 |
| Access Time (tAC) | — | 0.225 ns |
| 無鹵素 | — | Yes |
| 安裝類型 | — | Surface Mount |
| Differential Clock Input | — | Yes (CK, CK#) |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |