W634GU6RB-11 vs YZ38F16SBB-9MFD-M Ikinahambing
Detalyadong pagkakahiwalay na pagkakahambing ng W634GU6RB-11 sa pamamagitan ng Winbond at YZ38F16SBB-9MFD-M sa pamamagitan ng Loongtion. Ikinahambing ang mga pangunahing paglalarawan, mga tama ng elektriko, paakay, kalagayan ng buhay, presyo, at pagkakaroon upang makita ang pinakamahusay na komponente para sa iyong mga kinakailangang pang disenyo.
Pagsanggunian na paghahambing
| Parametro | W634GU6RB-11 | YZ38F16SBB-9MFD-M |
|---|---|---|
| Brand | Winbond | Loongtion |
| Kategorya | Memory ICs | DRAM |
| Katayuan ng Lifecycle | Aktibo | Aktibo |
| Presyo ng Yunit (USD) | $13.52 | — |
| Uri ng Memory | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Laki ng Memory | 4Gbit (256M x 16) | — |
| Interface | Parallel | JEDEC DDR3 |
| Clock Frequency | 933 MHz | — |
| Rate ng Data | 1866 MT/s | 1866 Mbps |
| Latensya ng CAS | 20 ns | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Volte ng Pagbibigay | 1.35V (1.283V to 1.45V) | 1.35V / 1.5V |
| Packhaging | 96-VFBGA (7.5x13 mm) | 96-ball FBGA |
| Temperature na Operasyon | -40°C to +95°C | -40°C to +85°C |
| Uri ng Pagpapasok | Surface Mount | Surface Mount |
| Tindminan RoHS | Compliant | — |
| Wala sa Halogen | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | External 240Ω ±1% resistor |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| Density | — | 4Gb |
| Organisasyon | — | 256M x 16 |
| Speed Grade | — | -9 (DDR3-1866) |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Bilang ng Pin | — | 96 |