1EDN7136GXTMA1 vs 1EDN7126GXTMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma 1EDN7136GXTMA1 tarafından Infineon ve 1EDN7126GXTMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | 1EDN7136GXTMA1 | 1EDN7126GXTMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Product Type | Low-side gate driver IC | — |
| Configuration | Single channel, non-inverting | Non-Inverting |
| Peak Source Current | 4 A | 1.5 A |
| Peak Sink Current | 8 A | 1.5 A |
| Target Switch | GaN HEMT (CoolGaN) / MOSFET | — |
| Input Logic | TTL/CMOS compatible | — |
| UVLO | Yes (VDD under-voltage lockout) | — |
| Propagation Delay | Sub-nanosecond class | — |
| Paket | PG-VSON-10-4 (leadless, thermal pad) | PG-VSON-10-4 |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| İşletim Sıcaklığı | -40 C to +125 C | — |
| MSL Seviyesi | [DATA_NEEDED: MSL level] | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Lead-free | Yes | — |
| Input Voltage (VDD) | [DATA_NEEDED: VDD range V] | — |
| Output Voltage (GaN gate) | Approximately 6 V (regulated) | — |
| Fonksiyon | — | Single-channel TDI gate driver for GaN HEMT and Si MOSFET |
| Channel Type | — | Single |
| Driven Supply Voltage | — | [DATA_NEEDED: VCC max value] |
| Common-Mode Voltage (CMR) | — | 200 V |
| Input Type | — | Truly Differential Input (TDI) |
| Propagation Delay (Typ.) | — | [DATA_NEEDED: tpd typical value] |
| Rise / Fall Time (Typ.) | — | [DATA_NEEDED: tr / tf typical value] |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | — | -40C to +125C |
| Reach | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Input Logic Compatibility | — | 3.3 V / 5 V TTL/CMOS (TDI) |