1EDN7136GXTMA1 vs 1EDN7126GXTMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של 1EDN7136GXTMA1 מאת Infineon ו 1EDN7126GXTMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | 1EDN7136GXTMA1 | 1EDN7126GXTMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Product Type | Low-side gate driver IC | — |
| Configuration | Single channel, non-inverting | Non-Inverting |
| Peak Source Current | 4 A | 1.5 A |
| Peak Sink Current | 8 A | 1.5 A |
| Target Switch | GaN HEMT (CoolGaN) / MOSFET | — |
| Input Logic | TTL/CMOS compatible | — |
| UVLO | Yes (VDD under-voltage lockout) | — |
| Propagation Delay | Sub-nanosecond class | — |
| מארז | PG-VSON-10-4 (leadless, thermal pad) | PG-VSON-10-4 |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| טמפרטורת פעולה | -40 C to +125 C | — |
| רמת MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-free | Yes | — |
| Input Voltage (VDD) | [DATA_NEEDED: VDD range V] | — |
| Output Voltage (GaN gate) | Approximately 6 V (regulated) | — |
| פונקציה | — | Single-channel TDI gate driver for GaN HEMT and Si MOSFET |
| Channel Type | — | Single |
| Driven Supply Voltage | — | [DATA_NEEDED: VCC max value] |
| Common-Mode Voltage (CMR) | — | 200 V |
| Input Type | — | Truly Differential Input (TDI) |
| Propagation Delay (Typ.) | — | [DATA_NEEDED: tpd typical value] |
| Rise / Fall Time (Typ.) | — | [DATA_NEEDED: tr / tf typical value] |
| טווח טמפרטורת פעולה | — | -40C to +125C |
| Reach | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Input Logic Compatibility | — | 3.3 V / 5 V TTL/CMOS (TDI) |