27C512-10 vs 27C256A-12 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma 27C512-10 tarafından Texas Instruments ve 27C256A-12 tarafından NECAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Texas Instruments
27C512-10 27C512-10 - 512Kbit (64Kx8) 100ns CMOS EPROM | Texas Instruments

27C512-10 - 512Kbit (64Kx8) 100ns CMOS EPROM | Texas Instruments

27C512-10 ✗ Son Kullanım Zamanı

Özellik Karşılaştırması

Parametre 27C512-10 27C256A-12
Marka Texas Instruments NEC
Kategori Memory ICs Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Hayat Dönemi Sonu Obsolete
Bellek Boyutu 512 Kbit 256 Kbit (32K x 8)
Organizasyon 64K x 8 32K x 8
Bellek Türü OTP EPROM (CMOS) UV EPROM
Access Time (Speed Grade -10) 100 ns —
Supply Voltage (VCC) +5 V with +/-10% tolerance 5 V
Programming Voltage (VPP) +12.5 V [DATA_NEEDED: programming voltage VPP]
Standby Current 20 uA typical (CMOS standby) [DATA_NEEDED: standby current]
Operating Mode Totally static operation —
Arayüz Parallel, TTL compatible Parallel
Address Lines 15 (A0-A14) —
Data Lines 8 (Q0-Q7), tri-state outputs —
Control Signals /E (chip enable), /G (output enable) —
Pinout Standard JEDEC-approved 28-pin EPROM pinout —
Paket 28-pin DIP 28-pin DIP
Montaj Türü Through Hole Through Hole
Erase Method One-Time Programmable (not erasable) Ultraviolet light
İşletim Sıcaklığı [DATA_NEEDED: operating temperature range] 0C to +70C (commercial)
RoHS Durumu unknown unknown
Technology — CMOS
Access Time — 120 ns
Active Current — [DATA_NEEDED: active current]
Yaşam Döngüsü Durumu — Obsolete (legacy product)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin