BSC011N03LSIATMA1 vs BSC014N06NSATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC011N03LSIATMA1 tarafından Infineon ve BSC014N06NSATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Infineon
BSC011N03LSIATMA1 - 30V N-Ch OptiMOS 1.1mΩ Power MOSFET | Infineon
BSC011N03LSIATMA1 ✓ Aktif
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | BSC011N03LSIATMA1 | BSC014N06NSATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS™ 30 V | OptiMOS 5 |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 30 V | — |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | 37 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 100 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed IDM value] | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-State Resistance RDS(on) at VGS=10V | 1.1 mΩ (typical) | — |
| Power Dissipation at TA=25°C | 2.5 W | — |
| Power Dissipation at TC=25°C | 96 W | — |
| İşletim Jant Sıcaklığı | -55 °C to +150 °C | — |
| Paket | PG-TDSON-8-7 (Surface Mount) | PG-TDSON-8-17 (SuperSO8 5x6 mm) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL Seviyesi | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Transistor Türü | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | — | +/- 20 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 30 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 100 A |
| On-Resistance RDS(on) Typ @ VGS=10V | — | 1.4 mOhm |
| On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V | — | 1.45 mOhm |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 156 W |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | — | -55C to +150C |
| Technology | — | OptiMOS 5 (shielded-gate trench) |