BSC014N04LSATMA1 vs BSC014N04LSTATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC014N04LSATMA1 tarafından Infineon ve BSC014N04LSTATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | BSC014N04LSATMA1 | BSC014N04LSTATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 5 | — |
| Transistor Türü | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 32 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 100 A | — |
| RDS(on) max at VGS=10 V | 1.4 mOhm | — |
| Power Dissipation at Ta | 2.5 W | — |
| Power Dissipation at Tc | 96 W | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | 20 V | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55C to +175C | -55°C to +150°C |
| Paket | SuperSO8 (TDSON-8 FL) 5x6 mm | PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | Trench (OptiMOS 5, thin-wafer) | OptiMOS 5 (N-Channel Trench) |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| MSL Seviyesi | 1 (unlimited) | MSL1 |
| Part Number | — | BSC014N04LSTATMA1 |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Continuous Drain Current (ID) @ TA=25°C | — | 33 A |
| Continuous Drain Current (ID) @ TC=25°C | — | 100 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance R DS(on) max @ VGS=10V | — | 1.45 mΩ |
| R DS(on) typical @ VGS=10V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) typical] |
| Power Dissipation (TA) | — | 3 W |
| Power Dissipation (TC) | — | 115 W |
| Pin Sayısı | — | 8 |
| Lead-Free | — | Yes |