BSC016N06NSATMA1 vs BSC014N06NSATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC016N06NSATMA1 tarafından Infineon ve BSC014N06NSATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | BSC016N06NSATMA1 | BSC014N06NSATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Series | OptiMOS™ 5 60V | — |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 100 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, TA) | 30 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 1.6 mΩ | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 71 nC | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | — |
| Power Dissipation (TA) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (TC) | 139 W | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55 °C to +150 °C | -55C to +150C |
| Paket | PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6) | PG-TDSON-8-17 (SuperSO8 5x6 mm) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL Seviyesi | 1 (unlimited) | 1 |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Gate Drive (recommended) | 10 V | — |
| Technology | OptiMOS™ 5 | OptiMOS 5 (shielded-gate trench) |
| Product Family | — | OptiMOS 5 |
| Transistor Türü | — | N-Channel MOSFET |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | — | +/- 20 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 30 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 100 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance RDS(on) Typ @ VGS=10V | — | 1.4 mOhm |
| On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V | — | 1.45 mOhm |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 156 W |