BSC022N04LS6ATMA1 vs BSC026N04LSATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC022N04LS6ATMA1 tarafından Infineon ve BSC026N04LSATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | BSC022N04LS6ATMA1 | BSC026N04LSATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Technology | OptiMOS™ 6 (N-channel trench) | Trench-gate OptiMOS™ 5 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 27 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 100 A | — |
| Maximum Pulsed Drain Current (IDM) | 139 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 2.2 mOhm at VGS=10 V | — |
| Power Dissipation (Ta) | 3 W | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | 79 W | 63 W |
| Paket | SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-1) | PG-TDSON-8-6 (TDSON 5x6 mm) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Channel Type | N-Channel | N-Channel |
| Pin Sayısı | 8 | — |
| İşletim Sıcaklığı | -55 C to +175 C (junction) | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Part Family | — | OptiMOS™ 5 N-Channel Power MOSFET |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | — | 23 A |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | — | 100 A |
| Pulsed Drain Current (IDM, Tc=25°C) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V | — | 2.6 mΩ |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | [DATA_NEEDED: max RDS(on)] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | — | -55°C to +150°C |