BSC032N04LSATMA1 vs IPD031N06L3GATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC032N04LSATMA1 tarafından Infineon ve IPD031N06L3GATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Infineon
IPD031N06L3GATMA1 - 60V 100A 3.1mΩ N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon
IPD031N06L3GATMA1 ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | BSC032N04LSATMA1 | IPD031N06L3GATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Series | OptiMOS 5 40V | — |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C | 21 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | 98 A | — |
| RDS(on) max at VGS=10V | 3.2 mΩ | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 52 W | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| Technology | OptiMOS 5 trench | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paket | PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TO252-3 (DPAK) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| İşletim Jant Sıcaklığı | -55°C to +175°C | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 100 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 400 A |
| Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25°C | — | 167 W |
| RDS(on) Max at VGS=10V | — | 3.1 mΩ |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 1.0 V to 2.2 V |
| Gate Drive Voltage (Max RDS(on)) | — | 4.5 V, 10 V |
| Total Gate Charge (Qg) Typ | — | [DATA_NEEDED: Qg typical value] |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | — | -55°C to +175°C |
| Series | — | OptiMOS 3 |
| MSL Seviyesi | — | 1 (Unlimited) |