BSC040N10NS5ATMA1 vs BSC030N08NS5ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC040N10NS5ATMA1 tarafından Infineon ve BSC030N08NS5ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSC040N10NS5ATMA1 BSC030N08NS5ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 5 OptiMOS 5
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Maximum On-Resistance (RDS(on)) 4 mOhm —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 100 A 100 A
Continuous Drain Current (ID) max 136 A —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 139 W —
Paket PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6) / TDSON EP-8 PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +150C —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total] —
Output Capacitance Reduction Up to 44% vs previous generation —
RDS(on) Reduction Up to 43% vs previous generation —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Automotive Qualification AEC-Q101 (per Infineon OptiMOS 5 family) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Type — N-Channel Power MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) max — 80 V
Pulsed Drain Current (ID,pulse) — 161 A
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/-20 V
RDS(on) max at VGS=10 V — 3.0 mOhm
RDS(on) max at VGS=7 V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=7V]
Power Dissipation (Ta=25C, 1.5mm FR4) — 2.5 W
Power Dissipation (TC=25C) — 139 W
Operating Temperature Range (TJ) — -55C to +150C
MSL Seviyesi — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Klorürsüz — Yes
Lead-Free — Yes
Gate Drive Logic — Standard 10V, compatible with 12V drive
Optimized Application — Synchronous Rectification

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin