BSC040N10NS5ATMA1 vs IPT015N10N5ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC040N10NS5ATMA1 tarafından Infineon ve IPT015N10N5ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSC040N10NS5ATMA1 IPT015N10N5ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 5 OptiMOS™ 5
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Maximum On-Resistance (RDS(on)) 4 mOhm —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 100 A —
Continuous Drain Current (ID) max 136 A —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 139 W —
Paket PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6) / TDSON EP-8 PG-HSOF-8-1 (TOLL)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +150C —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total] [DATA_NEEDED: Qg at VGS=10V]
Output Capacitance Reduction Up to 44% vs previous generation —
RDS(on) Reduction Up to 43% vs previous generation —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Automotive Qualification AEC-Q101 (per Infineon OptiMOS 5 family) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IPT015N10N5ATMA1
Transistor Türü — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 300 A
On-Resistance RDS(on) Max — 1.5 mΩ
Power Dissipation (PD, Tc) — 375 W
Configuration — Single
İşletim Sıcaklığı — -55°C to +175°C
Gate Threshold VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max]
Output Capacitance (Coss) — Reduced up to 44% vs prior generation (per manufacturer claim)
RDS(on) Improvement vs Prior Generation — Up to 43% reduction
Packaging — Tape & Reel

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin