BSC040N10NS5ATMA1 vs IPT015N10N5ATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של BSC040N10NS5ATMA1 מאת Infineon ו IPT015N10N5ATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
BSC040N10NS5ATMA1 BSC040N10NS5ATMA1 - 100V 100A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

BSC040N10NS5ATMA1 - 100V 100A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

BSC040N10NS5ATMA1 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר BSC040N10NS5ATMA1 IPT015N10N5ATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 5 OptiMOS™ 5
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Maximum On-Resistance (RDS(on)) 4 mOhm —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 100 A —
Continuous Drain Current (ID) max 136 A —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 139 W —
מארז PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6) / TDSON EP-8 PG-HSOF-8-1 (TOLL)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
טווח טמפרטורת פעולה -55C to +150C —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total] [DATA_NEEDED: Qg at VGS=10V]
Output Capacitance Reduction Up to 44% vs previous generation —
RDS(on) Reduction Up to 43% vs previous generation —
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Automotive Qualification AEC-Q101 (per Infineon OptiMOS 5 family) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IPT015N10N5ATMA1
סוג טרנזיסטור — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 300 A
On-Resistance RDS(on) Max — 1.5 mΩ
Power Dissipation (PD, Tc) — 375 W
Configuration — Single
טמפרטורת פעולה — -55°C to +175°C
Gate Threshold VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max]
Output Capacitance (Coss) — Reduced up to 44% vs prior generation (per manufacturer claim)
RDS(on) Improvement vs Prior Generation — Up to 43% reduction
Packaging — Tape & Reel

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר