BSC047N08NS3GATMA1 vs BSZ110N08NS5ATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC047N08NS3GATMA1 tarafından Infineon ve BSZ110N08NS5ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | BSC047N08NS3GATMA1 | BSZ110N08NS5ATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | BSC047N08NS3GATMA1 | — |
| Technology | OptiMOS™ 3 (N-channel trench) | OptiMOS 5 N-Channel Power MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 100 A | 40 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 18 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 4.7 mOhm at VGS=10 V | 11 mΩ |
| Power Dissition (Tc) | 125 W | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS th) | Normal level (typ 1.7 V) | — |
| Avalanche Rated | 100% tested | — |
| Paket | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) | PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55 °C to +175 °C (Tj) | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| RoHS / Halogen-Free | RoHS compliant, Halogen-free | — |
| Part Family | — | OptiMOS 5 |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 80 V |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 50 W |
| Polarity | — | N-Channel |
| Configuration | — | Single MOSFET |
| Gate Drive Voltage (VGS) | — | [DATA_NEEDED: VGS rating] |
| RoHS Durumu | — | Compliant |
| MSL Seviyesi | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |