BSC050N04LSGATMA1 vs BSC016N06NSTATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC050N04LSGATMA1 tarafından Infineon ve BSC016N06NSTATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | BSC050N04LSGATMA1 | BSC016N06NSTATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 40 V | 60 V |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) | ±20 V | ±20 V |
| Continuous Drain Current at 25C (ID, Ta) | 18 A | — |
| Continuous Drain Current at 25C (ID, Tc) | 85 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current IDM] | — |
| Power Dissipation at Ta (PD) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation at Tc (PD) | 57 W | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) | [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=10V] | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=4.5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] | — |
| Technology | OptiMOS 3 (trench MOSFET) | OptiMOS 5 |
| Paket | PG-TDSON-8-5 (TDSON-8 EP, 5x6 mm) | PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55C to +150C | -55 C to +150 C |
| Avalanche Energy Rated | Yes (single-pulse avalanche) | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| MSL Seviyesi | 1 | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | BSC016N06NSTATMA1 |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | — | 100 A |
| Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) | — | 31 A |
| On-Resistance RDS(on) max (VGS=10V) | — | 1.6 mOhm |
| Power Dissipation (Tc) | — | 167 W |
| Power Dissipation (Ta) | — | 3 W |
| Lead-Free | — | Yes |
| Series | — | OptiMOS |