BSC070N10NS5ATMA1 vs BSC0501NSIATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC070N10NS5ATMA1 tarafından Infineon ve BSC0501NSIATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSC070N10NS5ATMA1 BSC0501NSIATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Technology OptiMOS 5 (N-channel trench) Trench-gate OptiMOS 5
Drain-Source Voltage (VDS) max 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 80 A —
RDS(on) max @ VGS=10V 7 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max 20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: typical Qg] [DATA_NEEDED: Qg typical]
Power Dissition at TC=25C (Ptot) 83 W —
Power Dissipation at TA=25C 2.5 W —
İşletim Jant Sıcaklığı Aralığı -55 C to +150 C —
Paket PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-6 (SuperSO8)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
MSL Seviyesi 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS Durumu Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Typical Application Synchronous rectification in SMPS —
Manufacturer — Infineon
Product Family — OptiMOS 5 25V/30V
Transistor Türü — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 29 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM]
Power Dissipation at Ta (PD) — 2.5 W
Power Dissipation at Tc (PD) — 50 W
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
On-Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) max at 10V VGS]
İşletim Jant Sıcaklığı — -55C to +150C
Avalanche Rated — Yes

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin