BSC070N10NS5ATMA1 vs BSC098N10NS5ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC070N10NS5ATMA1 tarafından Infineon ve BSC098N10NS5ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSC070N10NS5ATMA1 BSC098N10NS5ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Technology OptiMOS 5 (N-channel trench) OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) max 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 80 A —
RDS(on) max @ VGS=10V 7 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max 20 V [DATA_NEEDED: VGS max +/-]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max]
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: typical Qg] [DATA_NEEDED: Qg]
Power Dissition at TC=25C (Ptot) 83 W —
Power Dissipation at TA=25C 2.5 W —
İşletim Jant Sıcaklığı Aralığı -55 C to +150 C —
Paket PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
MSL Seviyesi 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
RoHS Durumu Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Typical Application Synchronous rectification in SMPS —
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 60 A
Continuous Drain Current (ID, Ta) — [DATA_NEEDED: ID Ta-rated value]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 9.8 mOhm
Power Dissipation (Tc=25C) — 69 W
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Diode Continuous Forward Current (IS) — 63 A (Tc=25C)
Diode Pulse Current (IS,pulse) — 240 A (Tc=25C)
Diode Forward Voltage (VSD) typ — 0.9 V (IF=30 A, Tj=25C)
Diode Forward Voltage (VSD) max — 1.1 V (IF=30 A, Tj=25C)
İşletim Sıcaklığı Aralığı — [DATA_NEEDED: Tj min/max]
Shipping Packaging — Tape & Reel (T/R)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin