BSC070N10NS5ATMA1 vs BSC098N10NS5ATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của BSC070N10NS5ATMA1 bằng Infineon và BSC098N10NS5ATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
BSC098N10NS5ATMA1 - 100V 60A OptiMOS 5 N-Channel MOSFET | Infineon
BSC098N10NS5ATMA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | BSC070N10NS5ATMA1 | BSC098N10NS5ATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Technology | OptiMOS 5 (N-channel trench) | OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 80 A | — |
| RDS(on) max @ VGS=10V | 7 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | 20 V | [DATA_NEEDED: VGS max +/-] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: typical Qg] | [DATA_NEEDED: Qg] |
| Power Dissition at TC=25C (Ptot) | 83 W | — |
| Power Dissipation at TA=25C | 2.5 W | — |
| Khoảng nhiệt độ mối nối hoạt động | -55 C to +150 C | — |
| Hộp | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Cấp MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Typical Application | Synchronous rectification in SMPS | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | — | 60 A |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | — | [DATA_NEEDED: ID Ta-rated value] |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: IDM] |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 9.8 mOhm |
| Power Dissipation (Tc=25C) | — | 69 W |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Diode Continuous Forward Current (IS) | — | 63 A (Tc=25C) |
| Diode Pulse Current (IS,pulse) | — | 240 A (Tc=25C) |
| Diode Forward Voltage (VSD) typ | — | 0.9 V (IF=30 A, Tj=25C) |
| Diode Forward Voltage (VSD) max | — | 1.1 V (IF=30 A, Tj=25C) |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | — | [DATA_NEEDED: Tj min/max] |
| Shipping Packaging | — | Tape & Reel (T/R) |