BSC072N08NS5ATMA1 vs BSC059N04LS6ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC072N08NS5ATMA1 tarafından Infineon ve BSC059N04LS6ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
BSC059N04LS6ATMA1 BSC059N04LS6ATMA1 - 40V 59A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

BSC059N04LS6ATMA1 - 40V 59A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

BSC059N04LS6ATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSC072N08NS5ATMA1 BSC059N04LS6ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Family BSC072N08NS5 (OptiMOS 5) —
Transistor Türü N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS 5 OptiMOS 6 (N-channel MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) Max 80 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 74 A —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) Max 7.2 mOhm at VGS=10V —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 69 W —
Paket PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6 mm)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı Aralığı [DATA_NEEDED: full min/max operating Tj] -55C to +150C
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: typical Qg] —
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL rating] —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Shipping Pack Tape & Reel (ATMA1) —
Standard Pack Quantity 5000 —
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 17 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 49 A
Pulsed Drain Current (ID,pulse) at TC=25C — 59 A
On-Resistance RDS(on) max — 5.9 mOhm at VGS=10 V
Total Power Dissipation at TA=25C — 3 W
Total Power Dissipation at TC=25C — 38 W
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/-20 V
Diode Continuous Forward Current (IS) — 38 A at TC=25C
Diode Pulse Current (IS,pulse) — 236 A at TC=25C
Lead-Free — Yes

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin