BSC077N12NS3GATMA1 vs BSC0906NSATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC077N12NS3GATMA1 tarafından Infineon ve BSC0906NSATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSC077N12NS3GATMA1 BSC0906NSATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Family OptiMOS 3 (120 V) —
Transistor Türü N-Channel MOSFET (enhancement-mode trench) —
Drain-Source Voltage (VDS) 120 V —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max] —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 13.4 A 18 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc 98 A 63 A
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] —
On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 7.7 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 2.5 V —
Total Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: Qg] —
Power Dissipation (PD) at Tc 139 W —
İşletim Jant Sıcaklığı -55C to +150C —
Paket PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-6 (SuperSO8, 5x6 mm)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Pin Sayısı 8 8
MSL Seviyesi 1 —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Automotive Grade Yes (per Infineon part number suffix / datasheet) —
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 30 V
Power Dissipation at Ta — 2.5 W
Power Dissipation at Tc — 30 W
Technology — OptiMOS
RDS(on) max (typical reference) — [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg @ VGS=10V]
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55C to +150C (junction, typical)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin