BSC0901NSATMA1 vs BSC022N04LS6ATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC0901NSATMA1 tarafından Infineon ve BSC022N04LS6ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | BSC0901NSATMA1 | BSC022N04LS6ATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Family | OptiMOS 30V | — |
| Technology | N-Channel Trench MOSFET (OptiMOS) | OptiMOS™ 6 (N-channel trench) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) Max | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 100 A | 100 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 28 A | 27 A |
| On-State Resistance RDS(on) Max at VGS=10V | 1.9 mOhm | — |
| On-State Resistance RDS(on) Typ at VGS=10V | [DATA_NEEDED: RDS(on) typical] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th)] | — |
| Gate Charge (Qg) Typ | [DATA_NEEDED: Qg total] | — |
| Avalanche Energy (EAS) | 80 mJ | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 69 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 2.5 W | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55C to +150C | — |
| Paket | TDSON-8-5 (PG-TDSON-8-5) / SuperSO8 5x6 mm | SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-1) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Nem Hassasiyet Seviyesi (MSL) | 1 | — |
| Built-in Body Diode | Yes | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Configuration | Single N-Channel with Built-in Diode | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Maximum Pulsed Drain Current (IDM) | — | 139 A |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 2.2 mOhm at VGS=10 V |
| Power Dissipation (Ta) | — | 3 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 79 W |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Pin Sayısı | — | 8 |
| İşletim Sıcaklığı | — | -55 C to +175 C (junction) |