BSC0901NSATMA1 vs BSC022N04LS6ATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSC0901NSATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC022N04LS6ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | BSC0901NSATMA1 | BSC022N04LS6ATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Family | OptiMOS 30V | — |
| Technology | N-Channel Trench MOSFET (OptiMOS) | OptiMOS™ 6 (N-channel trench) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) Max | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 100 A | 100 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 28 A | 27 A |
| On-State Resistance RDS(on) Max at VGS=10V | 1.9 mOhm | — |
| On-State Resistance RDS(on) Typ at VGS=10V | [DATA_NEEDED: RDS(on) typical] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th)] | — |
| Gate Charge (Qg) Typ | [DATA_NEEDED: Qg total] | — |
| Avalanche Energy (EAS) | 80 mJ | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 69 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 2.5 W | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55C to +150C | — |
| پیکیج | TDSON-8-5 (PG-TDSON-8-5) / SuperSO8 5x6 mm | SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-1) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| نمی حساسیت کی سطح (MSL) | 1 | — |
| Built-in Body Diode | Yes | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Configuration | Single N-Channel with Built-in Diode | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Maximum Pulsed Drain Current (IDM) | — | 139 A |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 2.2 mOhm at VGS=10 V |
| Power Dissipation (Ta) | — | 3 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 79 W |
| Channel Type | — | N-Channel |
| پن کی تعداد | — | 8 |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | — | -55 C to +175 C (junction) |