BSC0901NSATMA1 vs BSC0906NSATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC0901NSATMA1 tarafından Infineon ve BSC0906NSATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | BSC0901NSATMA1 | BSC0906NSATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Family | OptiMOS 30V | — |
| Technology | N-Channel Trench MOSFET (OptiMOS) | OptiMOS |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) Max | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 100 A | 63 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 28 A | 18 A |
| On-State Resistance RDS(on) Max at VGS=10V | 1.9 mOhm | — |
| On-State Resistance RDS(on) Typ at VGS=10V | [DATA_NEEDED: RDS(on) typical] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th)] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] |
| Gate Charge (Qg) Typ | [DATA_NEEDED: Qg total] | — |
| Avalanche Energy (EAS) | 80 mJ | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 69 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 2.5 W | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55C to +150C | -55C to +150C (junction, typical) |
| Paket | TDSON-8-5 (PG-TDSON-8-5) / SuperSO8 5x6 mm | PG-TDSON-8-6 (SuperSO8, 5x6 mm) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Nem Hassasiyet Seviyesi (MSL) | 1 | — |
| Built-in Body Diode | Yes | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Configuration | Single N-Channel with Built-in Diode | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 30 V |
| Power Dissipation at Ta | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at Tc | — | 30 W |
| RDS(on) max (typical reference) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg @ VGS=10V] |
| Pin Sayısı | — | 8 |