BSC0901NSATMA1 vs BSC0906NSATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của BSC0901NSATMA1 bằng Infineon và BSC0906NSATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | BSC0901NSATMA1 | BSC0906NSATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Family | OptiMOS 30V | — |
| Technology | N-Channel Trench MOSFET (OptiMOS) | OptiMOS |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) Max | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 100 A | 63 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 28 A | 18 A |
| On-State Resistance RDS(on) Max at VGS=10V | 1.9 mOhm | — |
| On-State Resistance RDS(on) Typ at VGS=10V | [DATA_NEEDED: RDS(on) typical] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th)] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] |
| Gate Charge (Qg) Typ | [DATA_NEEDED: Qg total] | — |
| Avalanche Energy (EAS) | 80 mJ | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 69 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 2.5 W | — |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55C to +150C | -55C to +150C (junction, typical) |
| Hộp | TDSON-8-5 (PG-TDSON-8-5) / SuperSO8 5x6 mm | PG-TDSON-8-6 (SuperSO8, 5x6 mm) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Cấp độ độ ẩm nhạy cảm (MSL) | 1 | — |
| Built-in Body Diode | Yes | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Configuration | Single N-Channel with Built-in Diode | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 30 V |
| Power Dissipation at Ta | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at Tc | — | 30 W |
| RDS(on) max (typical reference) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg @ VGS=10V] |
| Số chân | — | 8 |