BSC0901NSIATMA1 vs BSC155N06NDATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC0901NSIATMA1 tarafından Infineon ve BSC155N06NDATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSC0901NSIATMA1 BSC155N06NDATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Technology OptiMOS 25V N-Channel Power MOSFET OptiMOS 3 (N-channel trench)
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 28 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=10V 2.0 mOhm typical —
On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 2.2 V max —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge nC] —
Power Dissipation (PD) at Ta=25C 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 69 W —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 C to +150 C -55 C to +175 C
Paket PG-TDSON-8-6 (5x6 mm with exposed pad) PG-TDSON-8-4 (SuperSO8 5x6 mm)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Pin Sayısı 8 —
MSL Seviyesi 1 1
RoHS Durumu Compliant Compliant (Pb-free plating)
Klorürsüz Yes —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSC155N06NDATMA1
Configuration — Dual N-channel MOSFET array
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 20 A
On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 15.5 mOhm
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissipation (Tc=25C) — 50 W
Lead-Free Plating — Yes
Shoot-Through Immunity Qgd/Qgs — < 0.8

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin