BSC094N06LS5ATMA1 vs BSC117N08NS5ATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC094N06LS5ATMA1 tarafından Infineon ve BSC117N08NS5ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | BSC094N06LS5ATMA1 | BSC117N08NS5ATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | BSC094N06LS5ATMA1 | BSC117N08NS5ATMA1 |
| Technology | OptiMOS™ 5 (logic-level) | OptiMOS 5 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 47 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=100°C | [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM] | — |
| RDS(on) max at VGS=10 V | 9.4 mΩ | — |
| RDS(on) max at VGS=4.5 V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range] | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typ] | [DATA_NEEDED: Qg value] |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | 36 W | — |
| İşletim Jant Sıcaklığı | -55 °C to +150 °C | — |
| Paket | PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6) | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| MSL Seviyesi | [DATA_NEEDED: MSL level] | 1 |
| Transistor Türü | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) max | — | 49 A (Tc) |
| On-State Resistance (RDS(on)) max | — | 11.7 mOhm |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 50 W |
| Pin Sayısı | — | 8 |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | — | -55 C to +150 C (typical MOSFET junction) |
| Lead-Free | — | Yes |