BSC094N06LS5ATMA1 vs BSC117N08NS5ATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של BSC094N06LS5ATMA1 מאת Infineon ו BSC117N08NS5ATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | BSC094N06LS5ATMA1 | BSC117N08NS5ATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | BSC094N06LS5ATMA1 | BSC117N08NS5ATMA1 |
| Technology | OptiMOS™ 5 (logic-level) | OptiMOS 5 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 47 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=100°C | [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM] | — |
| RDS(on) max at VGS=10 V | 9.4 mΩ | — |
| RDS(on) max at VGS=4.5 V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range] | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typ] | [DATA_NEEDED: Qg value] |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | 36 W | — |
| טמפרטורת צומת פעולה | -55 °C to +150 °C | — |
| מארז | PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6) | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| רמת MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | 1 |
| סוג טרנזיסטור | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) max | — | 49 A (Tc) |
| On-State Resistance (RDS(on)) max | — | 11.7 mOhm |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 50 W |
| מספר פינים | — | 8 |
| טווח טמפרטורת פעולה | — | -55 C to +150 C (typical MOSFET junction) |
| Lead-Free | — | Yes |