BSC098N10NS5ATMA1 vs BSC016N06NSTATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC098N10NS5ATMA1 tarafından Infineon ve BSC016N06NSTATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSC098N10NS5ATMA1 BSC016N06NSTATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Technology OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) OptiMOS 5
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 60 A 100 A
Continuous Drain Current (ID, Ta) [DATA_NEEDED: ID Ta-rated value] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 9.8 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max +/-] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg] —
Power Dissipation (Tc=25C) 69 W —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W 3 W
Diode Continuous Forward Current (IS) 63 A (Tc=25C) —
Diode Pulse Current (IS,pulse) 240 A (Tc=25C) —
Diode Forward Voltage (VSD) typ 0.9 V (IF=30 A, Tj=25C) —
Diode Forward Voltage (VSD) max 1.1 V (IF=30 A, Tj=25C) —
İşletim Sıcaklığı Aralığı [DATA_NEEDED: Tj min/max] -55 C to +150 C
Paket PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6) PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
RoHS Durumu Compliant Compliant
MSL Seviyesi 1 [DATA_NEEDED: MSL level]
Shipping Packaging Tape & Reel (T/R) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSC016N06NSTATMA1
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Gate-to-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) — 31 A
On-Resistance RDS(on) max (VGS=10V) — 1.6 mOhm
Power Dissipation (Tc) — 167 W
Lead-Free — Yes
Series — OptiMOS

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin