BSC098N10NS5ATMA1 vs BSC016N06NSTATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار BSC098N10NS5ATMA1 توسط Infineon و BSC016N06NSTATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
BSC016N06NSTATMA1 BSC016N06NSTATMA1 - 60V OptiMOS 5 N-Channel MOSFET | Infineon

BSC016N06NSTATMA1 - 60V OptiMOS 5 N-Channel MOSFET | Infineon

BSC016N06NSTATMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر BSC098N10NS5ATMA1 BSC016N06NSTATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Technology OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) OptiMOS 5
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 60 A 100 A
Continuous Drain Current (ID, Ta) [DATA_NEEDED: ID Ta-rated value] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 9.8 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max +/-] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg] —
Power Dissipation (Tc=25C) 69 W —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W 3 W
Diode Continuous Forward Current (IS) 63 A (Tc=25C) —
Diode Pulse Current (IS,pulse) 240 A (Tc=25C) —
Diode Forward Voltage (VSD) typ 0.9 V (IF=30 A, Tj=25C) —
Diode Forward Voltage (VSD) max 1.1 V (IF=30 A, Tj=25C) —
محدوده دمای کاری [DATA_NEEDED: Tj min/max] -55 C to +150 C
بسته‌بندی PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6) PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
وضعیت RoHS Compliant Compliant
سطح MSL 1 [DATA_NEEDED: MSL level]
Shipping Packaging Tape & Reel (T/R) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSC016N06NSTATMA1
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Gate-to-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) — 31 A
On-Resistance RDS(on) max (VGS=10V) — 1.6 mOhm
Power Dissipation (Tc) — 167 W
Lead-Free — Yes
Series — OptiMOS

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت