BSC0993NDATMA1 vs BSC0501NSIATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC0993NDATMA1 tarafından Infineon ve BSC0501NSIATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSC0993NDATMA1 BSC0501NSIATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon
Product Series OptiMOS 5 30V —
Configuration Dual N-Channel (Array) —
Drain-Source Voltage (Vds) 30 V —
Continuous Drain Current (Id) @ Ta 17 A —
Paket PG-TISON-8 PG-TDSON-8-6 (SuperSO8)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 5 trench MOSFET Trench-gate OptiMOS 5
Channel Mode Enhancement —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +150C (junction) —
ESD Protection Yes (integrated) —
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL level] 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS Durumu Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Rds(on) max @ Vgs=10V [DATA_NEEDED: Rds(on) value] —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th) value] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg value] [DATA_NEEDED: Qg typical]
Product Family — OptiMOS 5 25V/30V
Transistor Türü — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 29 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM]
Power Dissipation at Ta (PD) — 2.5 W
Power Dissipation at Tc (PD) — 50 W
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
On-Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) max at 10V VGS]
İşletim Jant Sıcaklığı — -55C to +150C
Avalanche Rated — Yes

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin