BSP129H6906XTSA1 vs BSD214SNH6327XTSA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSP129H6906XTSA1 tarafından Infineon ve BSD214SNH6327XTSA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
BSP129H6906XTSA1 BSP129H6906XTSA1 - 240V N-Ch Depletion MOSFET | Infineon

BSP129H6906XTSA1 - 240V N-Ch Depletion MOSFET | Infineon

BSP129H6906XTSA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSP129H6906XTSA1 BSD214SNH6327XTSA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSP129H6906XTSA1 —
FET Type N-Channel, Depletion Mode N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 240 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 350 mA —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 1.8 W —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 6 Ohm (max) —
Operating Mode Normally-On (Depletion) —
Gate-Source Pinch-Off Voltage [DATA_NEEDED: VGS(off) typical value] —
Paket PG-SOT223-4 (SOT-223) SOT-363 (PG-SOT363-PO), 6-pin
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Pin Sayısı 3 functional + 1 tab (4 leads) —
İşletim Sıcaklığı Aralığı [DATA_NEEDED: TJ max] -55C to +150C (junction)
ESD Protection Integrated Zener diodes on gate —
RoHS Durumu Compliant Compliant
MSL Seviyesi 1 (unlimited floor life) 1
Technology — MOSFET (Metal Oxide), OptiMOS
Drain-to-Source Voltage (Vdss) — 20 V
Continuous Drain Current (Id) at 25C — 1.5 A
Power Dissipation (Pd) at Ta — 500 mW
Gate Drive Voltage (Rds On rated) — 2.5 V, 4.5 V
Rds On (Max) @ Vgs=4.5V — [DATA_NEEDED: Rds On at Vgs=4.5V]
Rds On (Max) @ Vgs=2.5V — [DATA_NEEDED: Rds On at Vgs=2.5V]
Vgs(th) (typical) — [DATA_NEEDED: Vgs threshold typical]
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Lead Plating — Pb-free
Standard Pack Quantity — 3000 (Tape & Reel)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin