BSP315PH6327XTSA1 vs BSD235CH6327XTSA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSP315PH6327XTSA1 tarafından Infineon ve BSD235CH6327XTSA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
BSP315PH6327XTSA1 BSP315PH6327XTSA1 - 60V P-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSP315PH6327XTSA1 - 60V P-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSP315PH6327XTSA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSP315PH6327XTSA1 BSD235CH6327XTSA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type P-Channel —
Technology OptiMOS (enhancement mode) OptiMOS™ low-voltage
Drain-Source Voltage (VDS) -60 V —
Continuous Drain Current (ID) -1.17 A (Ta) —
Power Dissipation (PD) 1.8 W (Ta) —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V (max) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] —
On-State Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10 V] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 C to +150 C (junction) -55 °C to +150 °C (junction)
Paket PG-SOT223-4 (SOT-223-3 pinout with exposed tab) —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Avalanche Energy Rated Yes (per datasheet) —
Lead-Free / RoHS Yes / Compliant —
MSL Seviyesi 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Family — OptiMOS™
Configuration — N+P complementary dual MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 20 V
N-Channel Continuous Drain Current (ID) — 950 mA
P-Channel Continuous Drain Current (ID) — 530 mA (negative polarity)
Total Power Dissipation (Ptot) — 500 mW
Package Type — PG-SOT363-6-1 (SOT-363, 6-pin)
Polarity — N-channel + P-channel
Channel Mode — Enhancement
RoHS Durumu — Compliant (lead-free)
Pin Sayısı — 6

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin