BSP88H6327XTSA1 vs BSP78HUMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSP88H6327XTSA1 tarafından Infineon ve BSP78HUMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSP88H6327XTSA1 BSP78HUMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs Power MOSFET Drivers
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Transistor Türü N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 240 V —
Continuous Drain Current (ID) 350 mA at Ta=25 C —
Power Dissipation (PD) 1.8 W at Ta=25 C —
Paket PG-SOT223-4 (SOT-223-3) PG-SOT223-4 (TO-261-4) with exposed tab
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
On-State Resistance (RDS(on)) 6 ohm typical at VGS=10 V —
Configuration Single —
İşletim Sıcaklığı -55 C to +150 C —
Technology SIPMOS (planar enhancement mode) Smart SIPMOS (N-channel vertical power FET)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max] —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Lead Plating Pb-free —
RoHS Compliance Compliant —
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL level] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Drain Tab Connection SOT-223 tab is drain —
Fonksiyon — Self-protected low-side power switch
Operating Supply Voltage (Vbb) — 4.5 V to 42 V
Continuous Load Current — Up to 3 A
On-state Resistance (Rds(on)) — 200 mΩ typical
Input Logic Level — Logic-level (3.3 V / 5 V compatible)
Current Limitation — Yes (internal)
Termal Kapatma — Yes (with auto-restart)
Overvoltage Protection — Yes (load-dump tolerant)
Short-circuit Protection — Yes
Overload Protection — Yes
ESD Protection — Yes (on input pin)
Diagnostic Output — Open-drain status flag
İşletim Jant Sıcaklığı — -40 °C to +150 °C
AEC-Q100 Qualification — Qualified
RoHS Durumu — Compliant (Green product)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin