BSP88H6327XTSA1 vs BSP78HUMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של BSP88H6327XTSA1 מאת Infineon ו BSP78HUMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
BSP88H6327XTSA1 BSP88H6327XTSA1 - 240V N-Ch MOSFET 350mA SOT-223 | Infineon

BSP88H6327XTSA1 - 240V N-Ch MOSFET 350mA SOT-223 | Infineon

BSP88H6327XTSA1 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר BSP88H6327XTSA1 BSP78HUMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
סוג טרנזיסטור N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 240 V —
Continuous Drain Current (ID) 350 mA at Ta=25 C —
Power Dissipation (PD) 1.8 W at Ta=25 C —
מארז PG-SOT223-4 (SOT-223-3) PG-SOT223-4 (TO-261-4) with exposed tab
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
On-State Resistance (RDS(on)) 6 ohm typical at VGS=10 V —
Configuration Single —
טמפרטורת פעולה -55 C to +150 C —
Technology SIPMOS (planar enhancement mode) Smart SIPMOS (N-channel vertical power FET)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max] —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Lead Plating Pb-free —
RoHS Compliance Compliant —
רמת MSL [DATA_NEEDED: MSL level] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Drain Tab Connection SOT-223 tab is drain —
פונקציה — Self-protected low-side power switch
Operating Supply Voltage (Vbb) — 4.5 V to 42 V
Continuous Load Current — Up to 3 A
On-state Resistance (Rds(on)) — 200 mΩ typical
Input Logic Level — Logic-level (3.3 V / 5 V compatible)
Current Limitation — Yes (internal)
כיבוי תרמי — Yes (with auto-restart)
Overvoltage Protection — Yes (load-dump tolerant)
Short-circuit Protection — Yes
Overload Protection — Yes
ESD Protection — Yes (on input pin)
Diagnostic Output — Open-drain status flag
טמפרטורת צומת פעולה — -40 °C to +150 °C
AEC-Q100 Qualification — Qualified
סטטוס RoHS — Compliant (Green product)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר