BSS192PH6327FTSA1 vs BSP88H6327XTSA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSS192PH6327FTSA1 tarafından Infineon ve BSP88H6327XTSA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSS192PH6327FTSA1 BSP88H6327XTSA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type P-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide) SIPMOS (planar enhancement mode)
Drain-to-Source Voltage (Vdss) 250 V —
Continuous Drain Current (Id) @ 25C 190 mA (Ta) —
Power Dissipation (Pd) 1 W (Ta) —
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.8 V, 10 V —
Rds On (Max) @ Id, Vgs [DATA_NEEDED: Rds On max @ Vgs] —
Vgs(th) (Max) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage max] —
Vgs(th) (Typ) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage typ] —
Paket PG-SOT89 (SOT-89-3, 4-pin 3+Tab) PG-SOT223-4 (SOT-223-3)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı Aralığı [DATA_NEEDED: Tj max / operating temp] —
Automotive Qualification AEC-Q101 (per distributor listing) AEC-Q101 qualified
Series SIPMOS Small-Signal-Transistor —
Part Status Active —
RoHS Durumu [DATA_NEEDED: explicit RoHS status from datasheet] —
Transistor Türü — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 240 V
Continuous Drain Current (ID) — 350 mA at Ta=25 C
Power Dissipation (PD) — 1.8 W at Ta=25 C
On-State Resistance (RDS(on)) — 6 ohm typical at VGS=10 V
Configuration — Single
İşletim Sıcaklığı — -55 C to +150 C
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max]
Lead Plating — Pb-free
RoHS Compliance — Compliant
MSL Seviyesi — [DATA_NEEDED: MSL level]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Drain Tab Connection — SOT-223 tab is drain

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin