BSS87H6327FTSA1 vs BSP316PH6327XTSA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSS87H6327FTSA1 tarafından Infineon ve BSP316PH6327XTSA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSS87H6327FTSA1 BSP316PH6327XTSA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel enhancement-mode P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 240 V —
Continuous Drain Current (ID) 260 mA (Ta) —
Power Dissipation (PD) 1 W (Ta) —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 6 ohm max at VGS=10V —
Gate-Source Voltage (VGS) +/-20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Paket PG-SOT89-4-2 (SOT-89) PG-SOT223-4 (TO-261-4)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +150C (junction) -55 C to +150 C (junction)
Pin Sayısı 3 (Gate / Drain / Source) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Lead-Free / Pb-Free Yes (Pb-free plating) —
MSL Seviyesi 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
Process Technology Vertical DMOS —
Drain-to-Source Voltage (VDS) — -100 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — -680 mA
Total Power Dissipation (Ptot) at TA=25C — 1.8 W
On-Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10V]
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Pin Sayısı — 3 + thermal tab
Channel Mode — Enhancement
Technology — SIPMOS (P-channel MOSFET)
Packaging — Tape & Reel (H6327 suffix)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin