EP3SE260F1517C3N vs EP3SE260F1517I3G Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma EP3SE260F1517C3N tarafından Intel ve EP3SE260F1517I3G tarafından IntelAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | EP3SE260F1517C3N | EP3SE260F1517I3G |
|---|---|---|
| Marka | Intel | Intel |
| Kategori | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Son Alış Zamanı | NRND |
| Family | Stratix III E | Stratix III E |
| Logic Elements | 254,400 | 255,000 |
| Embedded Memory | 16,672,768 bits (16.7 Mbits) | — |
| User I/Os | 976 | — |
| DSP Blocks (18x18 Multipliers) | 816 | — |
| M9K Memory Blocks | 1,040 | — |
| Maximum Transceiver Data Rate | 600 Mbps | — |
| PLLs | 4 | — |
| Global Clock Networks | 16 | — |
| Paket | 1517-BBGA (FCBGA) | 1517-ball FC-FBGA (Flip-Chip BGA) |
| Process Technology | 65 nm TSMC low-power CMOS | — |
| Speed Grade | C3 (commercial) | — |
| İşletim Jant Sıcaklığı | 0 C to +85 C (commercial) | — |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS Durumu | Compliant | — |
| External Memory Interfaces | DDR3, DDR2, QDRII+, RLDRAM2 | — |
| Embedded Memory Bits | — | 16,672,768 |
| Maximum Operating Frequency | — | 500 MHz |
| Core Voltage | — | 1.1 V |
| User I/O Count | — | 976 |
| Process Node | — | 65 nm |
| Embedded Multipliers | — | 768 (18x18) |
| PLL Count | — | 12 |
| Transceiver Data Rate | — | Up to 6.375 Gbps |
| Operating Temperature Grade | — | Industrial (-40C to +100C) |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes (RoHS compliant per DigiKey listing) |
| MSL Seviyesi | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |