EP4CE75F23I8L vs EP4CE75F23I7N Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma EP4CE75F23I8L tarafından Intel ve EP4CE75F23I7N tarafından IntelAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre EP4CE75F23I8L EP4CE75F23I7N
Marka Intel Intel
Kategori FPGA & CPLD FPGA & CPLD
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Family Cyclone IV E Cyclone IV E (EP4CE)
Logic Elements 75,408 —
Embedded Memory (bits) 2,810,880 —
Number of M9K Memory Blocks 305 —
Embedded 18x18 Multipliers 274 15
User I/O Pins 292 —
PLLs 4 4
Global Clock Networks 20 —
Maximum User I/O 292 —
Paket 484-ball FBGA 484-ball FBGA (F23, 23 mm body, 1.0 mm pitch)
İşletim Sıcaklığı -40C to +85C (Industrial) —
Supply Voltage (Core) 1.0 V / 1.2 V —
I/O Standards Supported LVDS, SSTL, HSTL, LVPECL, LVCMOS, LVTTL —
Configuration Modes AS, PS, FPP, JTAG Active Serial (AS), Passive Serial (PS), JTAG
Process Node 60 nm low-leakage —
RoHS Durumu Compliant Compliant
MSL Seviyesi 3 —
Montaj Türü Surface Mount (BGA) —
Product Line — Cyclone IV E
Logic Elements (LEs) — 75,408
Logic Array Blocks (LABs) — 4,713
Embedded Memory Bits — 2,810,880 bits (312 M9K blocks)
Distributed RAM Bits — 200 Kbits
Global Clocks — [DATA_NEEDED: global clock network count]
Maximum User I/Os — 292
Core Voltage (VCCINT) — 1.2 V nominal
I/O Voltage (VCCIO) — 1.2 V / 1.5 V / 1.8 V / 2.5 V / 3.3 V (per bank)
Process Technology — 60 nm low-power CMOS
Operating Temperature Grade — Industrial (I7: -40C to +100C Tj)
External Memory Interfaces — DDR / DDR2 SDRAM, QDRII SRAM
Design Software — Quartus II / Quartus Prime

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin