H5AN8G6NAFR vs MT40A512M16JY-075E Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma H5AN8G6NAFR tarafından SK hynix ve MT40A512M16JY-075E tarafından Micron TechnologyAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | H5AN8G6NAFR | MT40A512M16JY-075E |
|---|---|---|
| Marka | SK hynix | Micron Technology |
| Kategori | Memory ICs | Memory ICs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Bellek Türü | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| Organizasyon | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Besleme Gerilimi | 1.2 V | — |
| Veri Hızı | 2400 MT/s | 2666 MT/s |
| Paket | 96-ball FBGA | 96-FBGA (8x14) |
| İşletim Sıcaklığı | 0°C to +85°C | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Klorürsüz | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Dynamic ODT | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| CRC | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Bellek Boyutu | — | 8 Gbit |
| Clock Frequency | — | 1.33 GHz |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.14V to 1.26V |
| VPP Voltage | — | 2.5V (-125mV, +250mV) |
| Arayüz | — | Parallel |
| Montaj Türü | — | Surface Mount |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | — | 0°C to +95°C (TC) |
| Refresh Time | — | 8192 cycles; 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C |
| RoHS Durumu | — | Compliant |
| Özellikler | — | Auto precharge, data mask, dynamic on-chip termination, write leveling, auto self-refresh, CRC |
| I/O Type | — | 1.2V pseudo open-drain |