H5AN8G8NCJR-XNC vs H5ANAG8NBJR-RDC Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma H5AN8G8NCJR-XNC tarafından SK hynix ve H5ANAG8NBJR-RDC tarafından SK hynixAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

SK hynix
H5ANAG8NBJR-RDC H5ANAG8NBJR-RDC - 16Gb DDR4 SDRAM 2Gx8 2666 | SK hynix

H5ANAG8NBJR-RDC - 16Gb DDR4 SDRAM 2Gx8 2666 | SK hynix

H5ANAG8NBJR-RDC ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre H5AN8G8NCJR-XNC H5ANAG8NBJR-RDC
Marka SK hynix SK hynix
Kategori Memory ICs DRAM
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Bellek Türü DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Bellek Boyutu 8 Gbit —
Organizasyon 1 Gb x 8 2G x 8
Veri Hızı 3200 Mbps (DDR4-3200) —
Clock Frequency 1.6 GHz —
Besleme Gerilimi 1.14 V to 1.26 V (1.2 V nominal) —
Paket 78-ball FBGA, 7.5 mm x 11 mm 78-ball FBGA
İşletim Sıcaklığı 0 C to +85 C [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range]
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Arayüz DDR4 (8-bit data interface) SSTL12
Architecture Bank-group based DDR4 —
Refresh Auto self-refresh Self-refresh and auto-refresh (8K/64ms class per family datasheet)
Precharge Auto precharge —
On-Chip Termination Dynamic ODT —
Calibration ZQ calibration, write leveling —
Error Handling CRC function —
Reset Asynchronous reset —
Data Mask Data mask function —
Current - Operating 39 mA —
Current - Standby 30 mA —
RoHS Durumu Compliant Compliant (lead-free PBGA per family product data)
Lead-Free / Halogen-Free Yes —
Density — 16 Gbit
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
I/O Voltage (VDDQ) — 1.2 V
Speed Grade (suffix R) — DDR4-2666 class
Bank Groups — 4 (per 16Gb DDR4 family datasheet)
Data Strobe — DQS with read/write training
Data Bus Inversion — Supported (DBI)
CAS Gecikme — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Yaşam Döngüsü Durumu — Active

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin