H5TC4G63AFR-G7A vs H5TC4G63AFR-PBA Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma H5TC4G63AFR-G7A tarafından SK hynix ve H5TC4G63AFR-PBA tarafından SK hynixAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

SK hynix
H5TC4G63AFR-G7A H5TC4G63AFR-G7A - 4Gb DDR3L SDRAM 1.35V | SK Hynix

H5TC4G63AFR-G7A - 4Gb DDR3L SDRAM 1.35V | SK Hynix

H5TC4G63AFR-G7A ✓ Aktif
SK hynix
H5TC4G63AFR-PBA H5TC4G63AFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63AFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63AFR-PBA ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre H5TC4G63AFR-G7A H5TC4G63AFR-PBA
Marka SK hynix SK hynix
Kategori Memory ICs Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Birim Fiyat (USD) — $3,98
Bellek Türü DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4Gb 4Gb
Organizasyon 256M x 16 256M x 16
Besleme Gerilimi 1.35V —
Veri Hızı 1600 Mbps (PC3-12800) 1866 Mbps (PC3L-14900)
Paket 96-ball FBGA 96-ball FBGA
İşletim Sıcaklığı 0°C to 95°C (case) —
CAS Gecikme Programmable (e.g., 11) —
Burst Length 8 and 4 8 and 4 (with burst chop)
Refresh Period 7.8us at 85°C —
On-Die Termination Supported —
RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Klorürsüz Yes —
Process Technology CMOS —
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.35V
Ball Pitch — 0.8mm
Number of Banks — 8
CAS Latency (CL) — 11, 12, 13
İşletim Sıcaklığı Aralığı — 0°C to +95°C (Tcase)
Arayüz — 16-bit I/O
On-Die Termination (ODT) — Yes
ZQ Calibration — Yes
Write Leveling — Yes
Auto Self-Refresh — Yes
Partial Array Self-Refresh — Yes

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin