H5TC4G63AFR-G7A vs H5TC4G63AFR-PBA 比較

詳細な並列比較: H5TC4G63AFR-G7A メーカー: SK hynix および H5TC4G63AFR-PBA メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

SK hynix
H5TC4G63AFR-G7A H5TC4G63AFR-G7A - 4Gb DDR3L SDRAM 1.35V | SK Hynix

H5TC4G63AFR-G7A - 4Gb DDR3L SDRAM 1.35V | SK Hynix

H5TC4G63AFR-G7A ✓ 生産中
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H5TC4G63AFR-PBA H5TC4G63AFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63AFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63AFR-PBA ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ H5TC4G63AFR-G7A H5TC4G63AFR-PBA
ブランド SK hynix SK hynix
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $6.50 $3.98
メモリタイプ DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4Gb 4Gb
メモリ構成 256M x 16 256M x 16
電源電圧 1.35V —
データレート 1600 Mbps (PC3-12800) 1866 Mbps (PC3L-14900)
パッケージ 96-ball FBGA 96-ball FBGA
動作温度 0°C to 95°C (case) —
CASレイテンシ Programmable (e.g., 11) —
Burst Length 8 and 4 8 and 4 (with burst chop)
Refresh Period 7.8us at 85°C —
On-Die Termination Supported —
RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
ハロゲンフリー Yes —
Process Technology CMOS —
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.35V
Ball Pitch — 0.8mm
Number of Banks — 8
CAS Latency (CL) — 11, 12, 13
動作温度範囲 — 0°C to +95°C (Tcase)
インターフェース — 16-bit I/O
On-Die Termination (ODT) — Yes
ZQ Calibration — Yes
Write Leveling — Yes
Auto Self-Refresh — Yes
Partial Array Self-Refresh — Yes

データシート&リソース

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