H5TC4G63AFR-G7A vs H5TC4G63AFR-PBA So sánh

So sánh chi tiết song song của H5TC4G63AFR-G7A bằng SK hynix và H5TC4G63AFR-PBA bằng SK hynix. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

SK hynix
H5TC4G63AFR-G7A H5TC4G63AFR-G7A - 4Gb DDR3L SDRAM 1.35V | SK Hynix

H5TC4G63AFR-G7A - 4Gb DDR3L SDRAM 1.35V | SK Hynix

H5TC4G63AFR-G7A ✓ Hoạt động
SK hynix
H5TC4G63AFR-PBA H5TC4G63AFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63AFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63AFR-PBA ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số H5TC4G63AFR-G7A H5TC4G63AFR-PBA
Thương hiệu SK hynix SK hynix
Danh mục Memory ICs Memory ICs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Giá đơn vị (USD) — $3,98
Kiểu bộ nhớ DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4Gb 4Gb
Tổ chức 256M x 16 256M x 16
Điện áp cung cấp 1.35V —
Tốc độ dữ liệu 1600 Mbps (PC3-12800) 1866 Mbps (PC3L-14900)
Hộp 96-ball FBGA 96-ball FBGA
Nhiệt độ hoạt động 0°C to 95°C (case) —
Latency CAS Programmable (e.g., 11) —
Burst Length 8 and 4 8 and 4 (with burst chop)
Refresh Period 7.8us at 85°C —
On-Die Termination Supported —
RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Đông trùng haogen Yes —
Process Technology CMOS —
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.35V
Ball Pitch — 0.8mm
Number of Banks — 8
CAS Latency (CL) — 11, 12, 13
Khoảng nhiệt độ hoạt động — 0°C to +95°C (Tcase)
Giao diện — 16-bit I/O
On-Die Termination (ODT) — Yes
ZQ Calibration — Yes
Write Leveling — Yes
Auto Self-Refresh — Yes
Partial Array Self-Refresh — Yes

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá