IAUA120N04S5N014AUMA1 vs IPC50N04S5L5R5ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUA120N04S5N014AUMA1 tarafından Infineon ve IPC50N04S5L5R5ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IAUA120N04S5N014AUMA1 IPC50N04S5L5R5ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IAUA120N04S5N014AUMA1 —
Series OptiMOS™ 5 —
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide) —
Drain-to-Source Voltage (V<sub>DSS</sub>) 40 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) @ T<sub>C</sub>=25°C 120 A —
R<sub>DS(on)</sub> Max @ V<sub>GS</sub>=10 V 1.4 mΩ —
Power Dissipation (P<sub>D</sub>) @ T<sub>C</sub>=25°C 136 W —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55°C to +175°C [DATA_NEEDED: confirmed min/max from datasheet] -55 °C to +175 °C
Paket PG-HSOF-5-2 (sTOLL) PG-TDSON-8-33 (TDSON EP 8-pin, exposed pad)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Pin Sayısı 5 + Tab (6 effective) —
Gate Drive Enhancement Mode —
Automotive Qualification AEC-Q101 —
RoHS Durumu Compliant —
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Avalanche Rated Yes (100% avalanche tested) —
Transistor Türü — N-Channel MOSFET
Mode — Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 50 A
Maximum Drain Current (silicon-limited, 25 °C) — 60 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10 V — 5.5 mΩ
Gate Threshold VGS(th) — Logic Level (enhancement at ≤ 4.5 V VGS)
Power Dissipation (Tc) — 42 W
Thermal Resistance Junction-to-Case RthJC — 3.6 K/W
AEC-Q101 Qualification — Qualified (automotive grade)
MSL (Moisture Sensitivity Level) — MSL1
Peak Reflow Temperature — 260 °C
Avalanche Rating — 100 % Avalanche Tested
RoHS / REACH — RoHS Compliant (Green Product)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin