IAUC100N04S6L014ATMA1 vs IAUC100N04S6L025ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUC100N04S6L014ATMA1 tarafından Infineon ve IAUC100N04S6L025ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IAUC100N04S6L014ATMA1 IAUC100N04S6L014ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6L014ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6L014ATMA1 ✓ Aktif
Infineon
IAUC100N04S6L025ATMA1 IAUC100N04S6L025ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6L025ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6L025ATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IAUC100N04S6L014ATMA1 IAUC100N04S6L025ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Family IAUC / OptiMOS 6 40V —
Transistor Türü N-Channel MOSFET —
Mode Enhancement —
Drain-Source Voltage (V_DS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tc) 100 A —
Pulsed Drain Current (I_DM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
R_DS(on) max (V_GS=10V) 1.4 mOhm —
Gate-Source Voltage (V_GS) max [DATA_NEEDED: V_GS max rating] —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical] —
Total Gate Charge (Q_G) [DATA_NEEDED: Q_G typical] —
Power Dissipation (P_D, Tc) 100 W —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +175C —
Paket PG-TDSON-8 (SuperSO8, 5x6 mm) PG-TDSON-8 (SuperSO8 5x6 mm)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
AEC-Q101 Qualification Yes —
Technology OptiMOS 6 OptiMOS 6 40V trench MOSFET
RoHS Durumu Compliant Compliant
MSL Seviyesi 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
Packaging Tape & Reel (ATMA1 suffix) —
Polarity — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 100 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C — [DATA_NEEDED: ID at TC=100C]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM pulse rating]
On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 2.5 mOhm
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg total]
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 62 W
İşletim Jant Sıcaklığı — -55 C to +175 C
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Lead-Free — Yes

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin