IAUC100N04S6L014ATMA1 vs IAUC100N04S6L025ATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của IAUC100N04S6L014ATMA1 bằng Infineon và IAUC100N04S6L025ATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
IAUC100N04S6L014ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon
IAUC100N04S6L014ATMA1 ✓ Hoạt độngInfineon
IAUC100N04S6L025ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 MOSFET | Infineon
IAUC100N04S6L025ATMA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IAUC100N04S6L014ATMA1 | IAUC100N04S6L025ATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Family | IAUC / OptiMOS 6 40V | — |
| Kiểu transitor | N-Channel MOSFET | — |
| Mode | Enhancement | — |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc) | 100 A | — |
| Pulsed Drain Current (I_DM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| R_DS(on) max (V_GS=10V) | 1.4 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (V_GS) max | [DATA_NEEDED: V_GS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical] | — |
| Total Gate Charge (Q_G) | [DATA_NEEDED: Q_G typical] | — |
| Power Dissipation (P_D, Tc) | 100 W | — |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55C to +175C | — |
| Hộp | PG-TDSON-8 (SuperSO8, 5x6 mm) | PG-TDSON-8 (SuperSO8 5x6 mm) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| AEC-Q101 Qualification | Yes | — |
| Technology | OptiMOS 6 | OptiMOS 6 40V trench MOSFET |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Cấp MSL | 1 | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Packaging | Tape & Reel (ATMA1 suffix) | — |
| Polarity | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 100 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=100C | — | [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: IDM pulse rating] |
| On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 2.5 mOhm |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg total] |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 62 W |
| Nhiệt độ mối nối hoạt động | — | -55 C to +175 C |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 qualified |
| Lead-Free | — | Yes |