IAUC100N04S6L020ATMA1 vs IAUC120N04S6L012ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUC100N04S6L020ATMA1 tarafından Infineon ve IAUC120N04S6L012ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IAUC120N04S6L012ATMA1 IAUC120N04S6L012ATMA1 - 40V 120A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IAUC120N04S6L012ATMA1 - 40V 120A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IAUC120N04S6L012ATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IAUC100N04S6L020ATMA1 IAUC120N04S6L012ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel —
Drain-Source Breakdown Voltage V(BR)DSS 40 V —
Continuous Drain Current (Tc) 100 A —
Power Dissipation (Tc) 75 W —
RDS(on) Maximum @ VGS=10V, ID=50A 2.04 mΩ —
RDS(on) Typical 2.0 mΩ —
Gate-Source Voltage VGS (max) ±20 V —
Gate Threshold Voltage VGS(th) Typical 2.0 V —
Technology OptiMOS 6 —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 °C to +175 °C (TJ) -55 °C to +175 °C (junction)
Paket PG-TDSON-8 (SS08, 5x6 mm leadless) PG-TDSON-8 (TDSON-8, surface mount with exposed pad)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Qualification Automotive grade —
Packaging Tape & Reel (TMA1) —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Family — OptiMOS 6 40V
Transistor Türü — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — 120 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 480 A
On-State Resistance (RDS(on)) at 10V VGS — 1.2 mΩ (typ)
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg at 20V VGS]
Power Dissipation (PD) at TC — 115 W
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
MSL Seviyesi — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Delivery Form — Tape & Reel

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin