IAUC100N04S6L025ATMA1 vs IAUC120N06S5L011ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUC100N04S6L025ATMA1 tarafından Infineon ve IAUC120N06S5L011ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IAUC100N04S6L025ATMA1 IAUC100N04S6L025ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6L025ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6L025ATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IAUC100N04S6L025ATMA1 IAUC120N06S5L011ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Technology OptiMOS 6 40V trench MOSFET —
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 100 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM pulse rating] —
On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10V 2.5 mOhm —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total] —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 62 W —
İşletim Jant Sıcaklığı -55 C to +175 C -55 °C to +175 °C
Paket PG-TDSON-8 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-53 (TDSON-8 FL, 5 mm × 6 mm)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101 qualified
MSL Seviyesi 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS Durumu Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 5 60 V (S5 generation)
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DS) — 60 V
Gate-Source Voltage (V_GS) — [DATA_NEEDED: max V_GS rating]
Continuous Drain Current (I_D) — 310 A (Tj), 120 A marketing
R_DS(on) max — [DATA_NEEDED: R_DS(on) at V_GS = 4.5 V]
Power Dissipation (P_D) — 188 W at T_C = 25 °C
Avalanche Energy Rated — Yes (EAS)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin